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捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅|雙向可控硅
ACJT04C-800SW
品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅
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ACJT04C-800SW 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM: 800V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA TO-220C 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！
  • 詳情介紹
    • 產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)
    型號(hào)ACJT04C-800SW
    封裝 TO-220C
    電流(A) 4
    浪涌電流(A) 40
    斷態(tài)峰值電壓(V) 800
    觸發(fā)電流I(mA) 10
    觸發(fā)電流II(mA) 10
    觸發(fā)電流III(mA) 10
    觸發(fā)電流IV(mA)
    結(jié)溫(°C) 125
    替代友商型號(hào)
    備注Not for New Design
    詳情介紹

    ACJT04C-800SW  捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A   VDRM/VRRM: 800V   IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA   TO-220C  捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！

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