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ACJT1635-10F

品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅

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ACJT1635-10F 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM: 1000V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:35/35/35mA TO-220F 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強。可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！

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詳情介紹

產(chǎn)品型號參數(shù)

型號	ACJT1635-10F
封裝	TO-220F
電流(A)	16
浪涌電流(A)	160
斷態(tài)峰值電壓(V)	1000
觸發(fā)電流I(mA)	35
觸發(fā)電流II(mA)	35
觸發(fā)電流III(mA)	35
觸發(fā)電流IV(mA)
結(jié)溫(°C)	125
替代友商型號
備注	Preferred

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ACJT1635-10F 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM: 1000V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:35/35/35mA TO-220F 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！