型號 | JCT855T |
封裝 | TG-C |
電流(A) | 55 |
浪涌電流(A) | 700 |
斷態(tài)峰值電壓(V) | 800 |
觸發(fā)電流mA) | 10 - 50 |
結(jié)溫(°C) | 125 |
替代友商型號 | BTW67-800 |
備注 | Not for New Design |
JCT855T 標準型單向可控硅 IT(RMS):55A VDRM/VRRM:800V IGT:10-50mA TG-C 標準型單向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;耐電流沖擊能力強;較好的用于摩托車、固態(tài)繼電器、充電器、電動工具等領(lǐng)域!
可替代下記友商型號:
1、BTW67-800(意法-ST)
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