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捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅|雙向可控硅
ACJT810-10K
品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅
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ACJT810-10K 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM: 1000V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA TO-252 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！
  • 詳情介紹
    • 產(chǎn)品型號參數(shù)
    型號ACJT810-10K
    封裝 TO-252
    電流(A) 8
    浪涌電流(A) 80
    斷態(tài)峰值電壓(V) 1000
    觸發(fā)電流I(mA) 10
    觸發(fā)電流II(mA) 10
    觸發(fā)電流III(mA) 10
    觸發(fā)電流IV(mA)
    結(jié)溫(°C) 125
    替代友商型號
    備注Preferred
    詳情介紹

    ACJT810-10K  捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A   VDRM/VRRM: 1000V   IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA   TO-252  捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！

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